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MIPI接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試 MIPI傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題 MIPI驅(qū)動(dòng)問(wèn)題 重起問(wèn)題
mipi接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試 mipi傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題 mipi驅(qū)動(dòng)問(wèn)題 重起問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-07-17
硬件工程師調(diào)試MIPI屏經(jīng)驗(yàn) MIPI 接口的sensor問(wèn)題 MIPI接口的DSI的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題
硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn) mipi 接口的sensor問(wèn)題 mipi接口的dsi的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-07-17
MIPI LCD接口 MIPI主板 MIPI故障分析與解決 MIPI調(diào)試經(jīng)驗(yàn) MIPI硬件開(kāi)發(fā) MIPI驅(qū)動(dòng)
mipi lcd接口 mipi主板 mipi故障分析與解決 mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開(kāi)發(fā) mipi驅(qū)動(dòng)
更新時(shí)間:2025-07-17
MIPI調(diào)試經(jīng)驗(yàn) MIPI硬件開(kāi)發(fā) MIPI驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試MIPI屏經(jīng)驗(yàn)
mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開(kāi)發(fā) mipi驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn)
更新時(shí)間:2025-07-17
MIPI調(diào)試經(jīng)驗(yàn) MIPI硬件開(kāi)發(fā) MIPI驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試MIPI屏經(jīng)驗(yàn) MIPI 接口的sensor問(wèn)題
mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開(kāi)發(fā) mipi驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn) mipi 接口的sensor問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-07-17
MIPI攝像頭 MIPI眼圖測(cè)試 MIPI LCD接口 MIPI主板 MIPI故障分析與解決
mipi攝像頭 mipi眼圖測(cè)試 mipi lcd接口 mipi主板 mipi故障分析與解決從軟件層面,再回顧下數(shù)據(jù)格式,加深在數(shù)據(jù)線上有3 種可能的操作模式:escape mode, high-speed (burst) mode and control mode,下面是從停止?fàn)顟B(tài)進(jìn)入相應(yīng)模式需要的時(shí)序:
更新時(shí)間:2025-07-17
解決MIPI屏黑屏問(wèn)題 MIPI調(diào)試過(guò)程 MIPI接口屏閃屏的測(cè)試 分析與解決方法
解決mipi屏黑屏問(wèn)題 mipi調(diào)試過(guò)程 mipi接口屏閃屏的測(cè)試 分析與解決方法依據(jù)ccir編碼表,sav和evav之間的保護(hù)數(shù)據(jù)是被編碼過(guò)的,使用這種方法,編碼器可以糾正1-bit錯(cuò)誤,可以檢查2-bit的錯(cuò)誤。該特征只是在csi的ccir編碼中,僅僅是奇偶交錯(cuò)模式中支持。
更新時(shí)間:2025-07-17
分析與解決方法 MIPI C-PHY D-PHY 眼圖測(cè)試
分析與解決方法 mipi c-phy d-phy 眼圖測(cè)試當(dāng)幀結(jié)束或者是個(gè)在rxfifo中的完整的幀數(shù)據(jù)被全部讀出時(shí),eof中斷就產(chǎn)生了,eof并不在csi的prp模式中使用。該中斷是用在ccir奇偶域交錯(cuò)的模式下使用,該中斷當(dāng)field 1 和field 2交錯(cuò)的時(shí)候產(chǎn)生。f1_int和f2_int會(huì)產(chǎn)生
更新時(shí)間:2025-07-17
解決MIPI屏黑屏問(wèn)題 MIPI調(diào)試過(guò)程 MIPI接口屏閃屏的測(cè)試
解決mipi屏黑屏問(wèn)題 mipi調(diào)試過(guò)程 mipi接口屏閃屏的測(cè)試bayer數(shù)據(jù)是個(gè)從圖像傳感器獲得典型的行數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)寬度定要通過(guò)軟件轉(zhuǎn)化為rgb空間或者是yuv空間的數(shù)據(jù)格式。pack_dir bit設(shè)置為0,表示系統(tǒng)是小端,不是大端系統(tǒng)。使用p0,p1,p2,p3存放了打包了的數(shù)據(jù)內(nèi)容,p0是個(gè)data,依次,p3是個(gè)data.
更新時(shí)間:2025-07-17
MIPI CLK眼圖 DATA眼圖測(cè)試與分析 解決MIPI屏黑屏問(wèn)題
mipi clk眼圖 data眼圖測(cè)試與分析 解決mipi屏黑屏問(wèn)題mx27提供了個(gè)非常業(yè)的攝像頭csi接口,可以配置相關(guān)的口進(jìn)行接口匹配。我們的攝像頭是ov9660,輸出設(shè)定為yuv模式,因此,csi獲取的數(shù)據(jù)也是yuv格式的數(shù)據(jù),因此還需要通過(guò)軟件,將yuv的格式轉(zhuǎn)化為rgb565、rgb656、rgb888格式放到lcdc對(duì)應(yīng)的memory進(jìn)行顯示輸出。
更新時(shí)間:2025-07-17
MIPI C-PHY D-PHY 眼圖測(cè)試 MIPI屏 初始化指令問(wèn)題
mipi c-phy d-phy 眼圖測(cè)試 mipi屏 初始化指令問(wèn)題像素可以放映到你的抓圖上面的大小,該像素就是說(shuō)明你的cmos或者是ccd感光元件的像素點(diǎn)多少,可以想象在相同的面積上,數(shù)量越多,感光元件肯定要越小,感光元件小,那么圖像的質(zhì)量其實(shí)會(huì)變差,這個(gè)當(dāng)然可以理解,但是從大的方面來(lái)說(shuō),只要鏡頭好,光源充足,那么效果也會(huì)變好,這樣畫(huà)面就比像素低的更加的細(xì)膩,所以高像素的好處就在這里。
更新時(shí)間:2025-07-17
MIPI眼圖 數(shù)據(jù) CLK眼圖 DATA眼圖測(cè)試與分析 解決MIPI屏黑屏問(wèn)題 MIPI調(diào)試過(guò)程
mipi眼圖 數(shù)據(jù) clk眼圖 data眼圖測(cè)試與分析 解決mipi屏黑屏問(wèn)題 mipi調(diào)試過(guò)程mx27提供了個(gè)非常業(yè)的攝像頭csi接口,可以配置相關(guān)的口進(jìn)行接口匹配。
更新時(shí)間:2025-07-17
德國(guó)PTL五檔可調(diào)彈簧沖擊錘
更新時(shí)間:2025-07-17
PTL溫升測(cè)試角進(jìn)口測(cè)試角
ptl溫升測(cè)試角,進(jìn)口測(cè)試角,ptl溫度測(cè)試角,p06系列測(cè)試角
更新時(shí)間:2025-07-17
德國(guó)PTL插頭力矩試驗(yàn)儀
更新時(shí)間:2025-07-17
德國(guó)PTI表面粗糙度測(cè)試儀62600
更新時(shí)間:2025-07-17
德國(guó)PTL試驗(yàn)彎指
更新時(shí)間:2025-07-17
梅特勒電極(有問(wèn)題,產(chǎn)品上留有碎渣)
梅特勒電極ha405-dpa-sc-s8/120(有問(wèn)題,產(chǎn)品上留有碎渣) 硬件開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 儀器租賃
更新時(shí)間:2025-07-17
EMMC 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí),焊盤(pán)部分要增加敷銅禁布框,避免銅皮分布不均影響散熱,導(dǎo)致貼片虛焊。
更新時(shí)間:2025-07-17
EMMC 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過(guò)大的問(wèn)題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶探頭的連接方式,發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長(zhǎng)的鱷魚(yú)夾地線,而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上,整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開(kāi)關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲,于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
更新時(shí)間:2025-07-17
EMMC 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
更新時(shí)間:2025-07-17
EMMC 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試這是個(gè)典型的電源紋波測(cè)試的問(wèn)題。我們通過(guò)使用短的地線連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測(cè)試結(jié)果大大改善。
更新時(shí)間:2025-07-17
EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
emmc4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上,示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗;電纜的另頭剝開(kāi),屏蔽層焊接在被測(cè)電路地上,中心導(dǎo)體通過(guò)個(gè)隔直電容連接被測(cè)的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本,低衰減比,缺點(diǎn)是致性不好,隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
更新時(shí)間:2025-07-17
Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試通俗的來(lái)說(shuō),emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
更新時(shí)間:2025-07-17
EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc4 , 復(fù)位測(cè)試 , clk測(cè)試 , dqs測(cè)試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller,包括了協(xié)議、擦寫(xiě)均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
更新時(shí)間:2025-07-17
EMMC5 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試包括card interface(cmd,data,clk)、memory core interface、總線接口控制(card interface controller)、電源控制、寄存器組。
更新時(shí)間:2025-07-17
EMMC5 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試mmc通過(guò)發(fā)cmd的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪問(wèn)。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。
更新時(shí)間:2025-07-17
EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC5 復(fù)位測(cè)試
emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc5 復(fù)位測(cè)試identification state,發(fā)送完 cid 后,emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
更新時(shí)間:2025-07-17
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 , emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試
更新時(shí)間:2025-07-17
CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host,頻率與 clk 信號(hào)相同,用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用,啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆(wěn)定性,省去總線 tuning 過(guò)程。
更新時(shí)間:2025-07-17
CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試
更新時(shí)間:2025-07-17
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試
更新時(shí)間:2025-07-17
控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試 EMMC 復(fù)位測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣,固定為 "0",在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下,cmd 信號(hào)保持高電平,當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí),host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào),并開(kāi)始接收 response。
更新時(shí)間:2025-07-17
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣,固定為 "0",在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下,cmd 信號(hào)保持高電平,當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí),host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào),并開(kāi)始接收 response。
更新時(shí)間:2025-07-17
clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試,眼圖測(cè)試crc 為 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值,不包含 start bit。各個(gè) data line 上的 crc 為對(duì)應(yīng) data line 的 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值。
更新時(shí)間:2025-07-17
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試在 ddr 模式下,data line 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會(huì)傳輸數(shù)據(jù),其中上升沿傳輸數(shù)據(jù)的奇數(shù)字節(jié) (byte 1,3,5...),下降沿則傳輸數(shù)據(jù)的偶數(shù)字節(jié)(byte 2,4,6 ...)。
更新時(shí)間:2025-07-17
復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試
復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試當(dāng) emmc device 處于 sdr 模式時(shí),host 可以發(fā)送 cmd19 命令,觸發(fā)總線測(cè)試過(guò)程(bus testing procedure),測(cè)試總線硬件上的連通性。
更新時(shí)間:2025-07-17
出租Tektronix USB2.0測(cè)試夾具
出租tektronix usb2.0測(cè)試夾具
更新時(shí)間:2025-07-17
高溫介電溫譜測(cè)量系統(tǒng)
高溫介電溫譜測(cè)試系統(tǒng)運(yùn)用三電法設(shè)計(jì)原理測(cè)量。并參考美國(guó) a.s.t.m 標(biāo)準(zhǔn)。重復(fù)性與穩(wěn)定性更好,采用雙屏蔽高頻測(cè)試線纜,提高測(cè)試參數(shù)的精確度,同時(shí)抗干擾能力更強(qiáng)。本設(shè)備也可應(yīng)用于產(chǎn)品檢測(cè)以及新材料電學(xué)性能研究等用途。搭配labview系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的huacepro軟件,具備彈性的自定義功能,可進(jìn)行介電溫譜、頻譜、升溫速度、測(cè)量參數(shù)等設(shè)置,符合壓電陶瓷與其它新材料測(cè)試多樣化的需求。電壓、過(guò)電
更新時(shí)間:2025-07-17
高壓漏電起痕試驗(yàn)儀
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門(mén)子plc作為主控制系統(tǒng),配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開(kāi)關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來(lái)確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過(guò)的電流達(dá)到或超g
更新時(shí)間:2025-07-17
漏電起痕指數(shù)CTI測(cè)試儀
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門(mén)子plc作為主控制系統(tǒng),配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開(kāi)關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來(lái)確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過(guò)的電流達(dá)到或超
更新時(shí)間:2025-07-17
高壓漏電檢測(cè)儀
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門(mén)子plc作為主控制系統(tǒng),配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開(kāi)關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來(lái)確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過(guò)的電流達(dá)到或超
更新時(shí)間:2025-07-17
耐電痕試驗(yàn)儀
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門(mén)子plc作為主控制系統(tǒng),配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開(kāi)關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來(lái)確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過(guò)的電流達(dá)到或超
更新時(shí)間:2025-07-17
交直流高壓棒 高壓測(cè)試棒出租
產(chǎn)品特色:■低價(jià)位1000比1交直流兩用高壓衰減棒。■大量測(cè)電壓:dc±40kv, ac±28kv (50/60hz only)■輸入阻抗高達(dá)1000mω。■tuv gs, ul等,安規(guī)檢驗(yàn)40kv, ca ⅱ合格。■請(qǐng)指定使用輸入阻抗10mω的電表配合。
更新時(shí)間:2025-07-16
智能數(shù)字測(cè)溫儀 攜式智能數(shù)字測(cè)溫儀 化工測(cè)溫儀出租
th系列便攜式智能數(shù)字溫度計(jì)是我公司面向國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)自行開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)生產(chǎn)的新產(chǎn)品,該產(chǎn)品融入了本公司的新研究成果和有技術(shù),使其兼?zhèn)鋬?yōu)良的性能和低廉的價(jià)格,經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的檢測(cè)和實(shí)際使用證明:th系列數(shù)字溫度計(jì)技術(shù)指標(biāo)可靠,性能穩(wěn)定,準(zhǔn)確度高,測(cè)溫范圍寬,顯示清晰,測(cè)量迅速,使用簡(jiǎn)單方便。
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建筑電子測(cè)溫儀 瀝青測(cè)溫儀 便攜式測(cè)溫儀出租
鋪路瀝青溫度等工程測(cè)量用。 內(nèi)置液晶照明功能,以便在光線較暗處查看數(shù)據(jù);
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無(wú)線溫度檢測(cè)儀 便攜式無(wú)線溫度檢測(cè)儀 工業(yè)無(wú)線溫度檢測(cè)儀出租
度歷來(lái)是個(gè)非常關(guān)鍵的參數(shù),在建筑施工、工業(yè)、醫(yī)療、軍事和生活等許多方面,都需要準(zhǔn)確測(cè)量溫度。溫度的自動(dòng)監(jiān)測(cè)已經(jīng)成為各行各業(yè)保證安全生產(chǎn)和減少損失的重要措施之。在某些特殊場(chǎng)合下,由于布線繁瑣、監(jiān)測(cè)點(diǎn)分散、各點(diǎn)之間間隔較遠(yuǎn)等因素,采用傳統(tǒng)的溫度測(cè)量方式周期長(zhǎng),成本高,而且測(cè)量員必須到現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行測(cè)量,導(dǎo)致工作效率低,人為誤差大,且不便于管理。
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微熱源測(cè)溫儀 微機(jī)熱源測(cè)溫儀 測(cè)溫儀出租
wry-c型微機(jī)熱原測(cè)溫儀用于注射用藥的熱原檢查和解熱藥的藥理研究,以及用于觀察藥物對(duì)動(dòng)物家兔體溫的影響等,它是檢驗(yàn)針劑質(zhì)量和研究藥物藥理的用檢測(cè)儀器,它采用電腦控制,按《中國(guó)藥典2010版》所規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,熱原檢測(cè)應(yīng)用系統(tǒng)軟件,能進(jìn)行熱原測(cè)試,新兔挑選,打印測(cè)試報(bào)告和磁盤(pán)存取(軟盤(pán)移動(dòng)硬盤(pán))等,均具有漢字顯示功能,直觀、清晰。
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經(jīng)濟(jì)型噪音計(jì) 分貝計(jì) 音平計(jì)出租
手持式儀表l 國(guó)際規(guī)范,iec 651 type iil 瞬時(shí)值測(cè)量方式l 范圍:40~130db l 迷你型設(shè)計(jì),美觀大方l 大/小值鎖定,讀值鎖定l 手動(dòng)換檔
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數(shù)字式噪音計(jì) 分貝計(jì) 音平計(jì)出租
產(chǎn)品特點(diǎn): 測(cè)試量程:32~130db。 迷你體積。 低價(jià)格又有高性能。 大/小功能。 解析度0.1db。 電平量程顯示。
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