光學平臺產品及廠家
日本jeol熱場發射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f，它繼承了上一代廣獲好評的性能如高的空間分辨率、高穩定性、多種功能等的同時，操作性能大簡單化。該設備不依賴操作者的技能，始終能夠發揮其佳性能。
更新時間:2025-07-10
日本jeol能譜儀jed-2300/2300f analysis station是以“圖像觀察和分析“ 為基本理念的tem/eds集成系統。通過與sem的馬達驅動樣品臺聯動使用，可以進行大范圍的觀察和分析。 eds通過檢測被電子束激發出的樣品特征x射線，確定樣品含有的元素及成分比，可以進行微區的點分析、線分析及面分析。
更新時間:2025-07-10
日本jeol掃描電子顯微鏡 jsm-it500，是jeol intouchscope系列的新機型。 從設定視野到生成報告，用于分析的軟件整合于一體，加快了作業速度！是一款無縫操作，使用更加方便的掃描電子顯微鏡。
更新時間:2025-07-10
日本jeol 熱場發射掃描電子顯微鏡 jsm-7200f，jsm-7200f的電子光學系統應用了日本電子旗艦機-jsm-7800f prime采用的浸沒式肖特基電子槍技術，標配了ttls系統（through-the-lens system），因此無論是在高/低加速電壓下，空間分辨率都比傳統機型有了很大的提升。
更新時間:2025-07-10
新一代超高精度電子束光刻機 p21，樣品尺寸覆蓋 2/4/6 英寸晶圓，超高寫場拼接精度，電子束閉環控制系統，束流的時間及空間穩定性高，高性能 30 kv 電子束光刻機。
更新時間:2025-07-10
opticool超精準全開放強磁場低溫光學研究平臺，系統擁有3.8英寸超大樣品腔、雙錐型劈裂磁體，可在超大空間為您提供高達±7t的磁場。多達7個側面窗口、1個頂部超大窗口方便光線由各個方向引入樣品腔，高度集成式的設計讓您的樣品在擁有低溫磁場的同時擺脫大型低溫系統的各種束縛。
更新時間:2025-07-10
attoafm/attomfm/attoshpm 低溫強磁場原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡，采用模塊化的設計。利用標配的控制器和樣品掃描臺，用戶僅需要更換掃描頭和對應的光學部件即可實現不同功能之間的切換。
更新時間:2025-07-10
德國sentech光伏測量儀mdpmap，靈活的自動掃描系統，是專為半導體晶片或部分工藝過的晶片的多功能、非接觸和少子壽命測量而設計的。mdpmap能夠連續地改變激發脈沖寬度，從非常短的脈沖(100ns)到穩態測量(幾ms)，研究不同深度的缺陷動力學和少子壽命特性。直觀的繪圖軟件適用于有效的常規測量以及復雜的研發應用。
更新時間:2025-07-10
jbx-8100fs 圓形電子束光刻系統· 最新高精密jbx-8100fs圓形電子束光刻系統，通過全方位的設計優化，實現更簡便的操作，更快的刻寫速度，更小的占地面積和安裝空間，并且更加綠色節能。
更新時間:2025-07-10
nanoarch p130是科研3d打印系統，擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚，從而實現超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機構用于科學研究及應用創新。
更新時間:2025-07-10
the oai solar energy meter measures solar simulator irradiance in "sun" units, for example, with one sun equaling 1000 w/m2 at 25 °c at airmass 1.5 global conditions.
更新時間:2025-07-10
30型uv光源是高效的，可用于各種應用。光由橢圓形反射器收集并聚焦在積分/聚光透鏡陣列上，以在曝光平面產生均勻的照明。這種紫外光源提供多種光束尺寸，最大24英寸平方，輸出光譜范圍從220 nm到450 nm，使用適當的燈（包括）。輸出功率范圍從200瓦到5千瓦。所有oai uv光源都易于配備快速更換過濾器組件，使用戶能夠輕松定制輸出光譜。可選配遠程排氣風扇。
更新時間:2025-07-10
oai 200型光刻機是一種具有成本效益的高性能掩模對準器，采用經過行業驗證的組件，使oai成為光刻設備行業的導者。 200型是臺式面罩對準器，需要小的潔凈室空間。它為研發，或有限規模，試點生產提供了經濟的替代方案。利用創新的空氣軸承/真空吸盤調平系統，襯底快速平穩地平整，用于平行光掩模對準和在接觸曝光期間在晶片上的均勻接觸。該系統能夠實現一微米分辨率和對準精度。
更新時間:2025-07-10
2012sm型自動邊緣曝光系統為使用標準陰影掩模技術的邊緣珠去除提供了一種經濟高效的方法。 設計用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實現，從而增加該生產工具的通用性和高產量。
更新時間:2025-07-10
2012sm型自動邊緣曝光系統為使用標準陰影掩模技術的邊緣珠去除提供了一種經濟高效的方法。 設計用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實現，從而增加該生產工具的通用性和高產量。
更新時間:2025-07-10
兩種型號的2000型曝光系統包括uv光源，強度控制電源和機器人襯底處理子系統。 uv光源提供發散半角<2.0％的可調強度光束。電源從200w到2,000w。強度控制器傳感器直接連接到光源，用于精確的強度監控。機器人襯底處理系統是微處理器控制的，并且可以被編程以適應各種各樣的襯底尺寸。
更新時間:2025-07-10
oai 5000e型大面積掩光刻機是一種先進的高性能，全自動掩模對準器和曝光工具，可為大型平板應用提供超精密，頂，亞微米對準和分辨率。 其靈活的設計允許在各種基材（圓形或方形）上印刷高達300mm或20“×20”。 曝光系統兼容近，中，或深紫外范圍的光刻膠，并具有計算機控制的led顯微鏡照明，在不太理想的觀察環境中觀察。
更新時間:2025-07-10
phabler 100 紫外光刻機是一套低成本的光學曝光系統，但卻能獲得高分辨率的周期性結構。同傳統的紫外曝光機類似，涂覆了光刻膠的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于eulitha公司擁有突破性的phable 曝光技術，在"phable"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，從而曝光出亞微米的線性光柵和二維光柵（六角形和正方形），且曝光結果非常均勻，質量很好。
更新時間:2025-07-10
raith 150 two可實現亞5nm的曝光結構，可處理8”晶元及以下樣片。環境屏蔽罩保證了系統的熱穩定性，提高設備對實驗室環境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環境下，也能保證系統的正常穩定運行。
更新時間:2025-07-10
raith 150 two可實現亞5nm的曝光結構，可處理8”晶元及以下樣片。環境屏蔽罩保證了系統的熱穩定性，提高設備對實驗室環境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環境下，也能保證系統的正常穩定運行。
更新時間:2025-07-10
德國raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機,系統可實現8英寸樣品的高速曝光。系統的穩定性是非常關鍵的指標，可保證大面積均勻曝光。該系統外部采用環境屏蔽罩，即使在稍差的實驗室環境下，仍然能確保系統具有非常好的熱穩定性，提高系統對外界環境的容忍度。
更新時間:2025-07-10
ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺，采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺設計，對電子束直寫應用進行了優化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新時間:2025-07-10
系統中集成了高精度的激光干涉工作臺，運動行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實現精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新時間:2025-07-10
瑞典 mycronic 掩膜版光刻機 fps6100，用于制作高精度掩膜版，廣泛用于半導體，tft-lcd，微電子等行業。
更新時間:2025-07-10
英國nanobean nb5 電子束光刻機,具有良好的穩定性，平均正常運行時間超過93%.
更新時間:2025-07-10
minilock-phantom iii 具有預真空室的反應離子刻蝕機。適用于單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，為實驗室和試制線生產環境提供最先進的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統有多達七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。
更新時間:2025-07-10
oracle iii由中央真空傳輸系統(cvt)、真空盒升降機和最多四個工藝反應室構成。這些工藝反應室與中央負載鎖對接，既能夠以生產模式運行，也能夠作為單個系統獨立作業。 oracle iii是市場上最靈活的系統，既可以為實驗室環境進行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產進行配置(使用真空盒升降機進行基片傳送)。
更新時間:2025-07-10
titan是一套用于半導體生產的十分緊湊、全自動化、帶預真空室的等離子系統。titan具有反應離子刻蝕(rie)配置、高密度電感耦合等離子沉積(hdicp)或等離子增強型化學汽相沉積(pecvd)配置。可對單個基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價格適宜且占地面積小。
更新時間:2025-07-10
美國trion orion iii pecvd 薄膜沉積系統可以在緊湊的平臺上生產高品質的薄膜。獨特的反應器設計可以在在極低的功率生產具有優異臺階覆蓋的低應力薄膜。該系統可以滿足實驗室和中試生產環境中的所有安全，設施和工藝標準要求。
更新時間:2025-07-10
orion hdcvd 高密度氣相化學沉積系統采用高密度的化學氣相沉積技術，在惰性氣體進入口安裝感應線圈，周圍布置陶瓷管。射頻創建等離子體,通過氣體環在襯底表面附近引入揮發性氣體。當惰性氣體與揮發性物質結合時，會發生化學反應，然后在襯底表面沉積一層薄膜.
更新時間:2025-07-10
德zeiss sigma sem 電子束直寫儀,利用曝光抗蝕劑，采用電子束直接曝光，可在各種襯底材料表面直寫各種圖形，圖形結構（小線寬為10mm），是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具。廣泛應用于納米器件，光子晶體，低維半導體等沿域。
更新時間:2025-07-10
俄羅斯 optosystem 準分子激光器：cl7000, 準分子激光器是傳統的氣體激光器，由于波長短（紫外），短脈沖寬度，高脈沖能量，是激光器家族不可替代的品種！應用上，準分子激光器在脈沖沉積鍍膜（pld），光纖光柵刻寫，lasik，光刻，微納加工等方面占主導的地位。
更新時間:2025-07-10
denton 磁控濺射及電子束蒸發薄膜沉積平臺,提供了薄膜工業中廣泛的配置和沉積模式:電子束蒸發、電阻蒸發、濺射、離子鍍和離子輔助沉積。
更新時間:2025-07-10
法plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機meb550sl3，可以用于沉積ti, ni, au, cr, al, al2o3等金屬及氧化物薄膜，目全球主要超導量子實驗室均使用該設備制備超導al結（量子比特和約瑟夫森結）和量子器件，可以制備大面積、高度穩定性和可重復性超導結。
更新時間:2025-07-10
美arradiance 臺式三維原子沉積系統ald，在小巧的機身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可最多容納9片8英寸基片同時沉積。gemstar xt全系配備熱壁，結合前驅體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設計，使溫度均勻性高達99.9%，氣流對溫度影響減少到0.03%以下。
更新時間:2025-07-10
德國 sentech pe-ald 等離子體增強--原子層沉積系統，是在3d結構上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過在工藝循環過程中在真空腔室分步加入置物實現。等離子增強原子層沉積（peald）是用等離子化的氣態原子替代水作為氧化物來增強ald性能的先進方法。
更新時間:2025-07-10
德國 sentech si 500 d 等離子沉積機，具有特殊的等離子體特性，如高密度、低離子能量和介質膜的低壓沉積。
更新時間:2025-07-10
德國sentech pecvd si 500 ppd等離子沉積機,。它是基于平面電容耦合等離子體源，真空加載鎖定，控溫基片電，可選配低頻混頻，全控無油真空系統采用先進的森泰克控制軟件，采用遠程現場總線技術，具有非常友好的通用用戶界面用于操作si 500 ppd的用戶界面。
更新時間:2025-07-10
pecvd depolab 200 等離子體沉積機,將平行板等離子體源設計與直接負載相結合,可以升為更大的抽油機、低頻電源和額外的燃氣管道。
更新時間:2025-07-10
sentech etchlab200 經濟型反應離子刻蝕機(可升級)，包括抽速更大的真空單元、預真空室及附加氣路等。
更新時間:2025-07-10
etchlab 200 rie等離子體蝕刻機是一種將rie平行板電設計的優點與直接負載的低成本設計相結合的直接負載等離子體蝕刻機系列。etchlab 200具有簡單快速的樣品加載功能，從零件到200a‰mm或300a‰mm直徑的晶圓片直接加載到電或載體上。
更新時間:2025-07-10
entech rie si591 平板電容式反應離子刻蝕機，兼容多種氯基或氟基刻蝕工藝；小型化和高度模塊化；sentech控制軟件
更新時間:2025-07-10
德國sentech icp-rie si 500 等離子刻蝕機，代表了電感耦合等離子體(icp)加工在研究和生產上的先優勢。它以ptsa等離子體源、動態控溫基片電、全控真空系統、先進的sentech 控制軟件為基礎，采用遠程現場總線技術，為操作si 500提供了非常人性化的通用用戶界面。靈活性和模塊化是si 500的設計特點。
更新時間:2025-07-10
sentech si 500 電感耦合等離子體icp干法刻蝕系統，感應耦合等離子刻蝕機臺，低損傷納米結構刻蝕，高速率刻蝕，內置icp等離子源，動態溫控。
更新時間:2025-07-10
ure-2000系列紫外單面光刻機，主要型號有：ure-2000a，ure-2000b，ure-20000/35,ure-20000/35a，ure-2000/25,ure-2000/17.由中國科學院制造生產。
更新時間:2025-07-10
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