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探測(cè)器產(chǎn)品及廠家

QPDElFys 黑硅探測(cè)器

elfys的高性能四象限探測(cè)器是建立在公司在黑硅技術(shù)上的專業(yè)性。開創(chuàng)性的方法允許得到近乎理想的從uv到nir波段的外部量子效率，使其實(shí)際上每個(gè)入射光子都能被探測(cè)到并轉(zhuǎn)換為可測(cè)量的信號(hào)。

更新時(shí)間:2025-07-12

該公司產(chǎn)品分類：先鋒科技（香港）股份有限公司

vcsel垂直腔面發(fā)射激光器功率測(cè)試方案使用獨(dú)有的spectralon 、permaflect或spectraflect積分球?qū)ζ骷l(fā)光進(jìn)行收集。該材料對(duì)紫外-可見-紅外范圍內(nèi)的光都具有極高的光譜反射率，可分別滿足研發(fā)端和產(chǎn)線段對(duì)高低溫度測(cè)試和產(chǎn)線端設(shè)備免維護(hù)性的要求。此外，通過選擇不同尺寸的積分球，可以滿足從毫瓦到千瓦量級(jí)的激光功率測(cè)試。

更新時(shí)間:2025-07-12

該公司產(chǎn)品分類：先鋒科技（香港）股份有限公司

XPIN-XTSi-PIN探測(cè)器

moxtek公司生產(chǎn)的si-pin探測(cè)器基于公司超低噪聲的jfet電路及優(yōu)異的鈹窗技術(shù)研制而成，主要應(yīng)用于手持式或臺(tái)式x射線熒光光譜儀中，作為能量分辨的探測(cè)器。 xpin-xt探測(cè)器主要技術(shù)指標(biāo)有效探測(cè)面積：6 mm2 、 13 mm2硅片厚度：450um、625um

更新時(shí)間:2025-07-12

該公司產(chǎn)品分類：先鋒科技（香港）股份有限公司

XPIN-BTSi-PIN探測(cè)器

moxtek公司成立于1986年，分為x射線部門和光學(xué)器件部門，是全球知名的高科技企業(yè)，為客戶提供創(chuàng)新的產(chǎn)品應(yīng)用方案。moxtek生產(chǎn)的si-pin探測(cè)器基于公司超低噪聲的jfet電路及優(yōu)異的鈹窗技術(shù)研制而成，主要應(yīng)用于手持式或臺(tái)式x射線熒光光譜儀中，作為能量分辨的探測(cè)器。

更新時(shí)間:2025-07-12

該公司產(chǎn)品分類：先鋒科技（香港）股份有限公司

VITUSVITUS-SDD探測(cè)器

德國(guó)ketek是世界上最早生產(chǎn)硅漂移探測(cè)器的公司產(chǎn)品具備高能量分辨、高計(jì)數(shù)率、高穩(wěn)定性、兼容性強(qiáng)、操作簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)，多次隨美國(guó)火星探測(cè)器登陸火星，為人類獲得了許多火星上物質(zhì)主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發(fā)射到火星的ketek探測(cè)器可以正常工作。

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該公司產(chǎn)品分類：先鋒科技（香港）股份有限公司

VIAMPVIAMP-SDD探測(cè)器

更新時(shí)間:2025-07-12

該公司產(chǎn)品分類：先鋒科技（香港）股份有限公司

AXAS-AAXAS-A-SDD探測(cè)器

集成了vitus系列的sdd探測(cè)器的分析系統(tǒng)，使用了脈沖復(fù)位機(jī)制的前置放大器，從而保證了探測(cè)器能夠在高計(jì)數(shù)率下工作集成供電高壓電路，溫控電路，用戶只需使用±12v電源即可，使用方便用戶可以定制封裝探測(cè)器的finger的長(zhǎng)度，標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度為100mm，另有多種長(zhǎng)度可選高度集成化設(shè)計(jì)，外形緊湊，便于集成德國(guó)ketek是世界上最早生產(chǎn)硅漂移探測(cè)器的公司產(chǎn)品具備高能量分辨、高計(jì)數(shù)率、高穩(wěn)定性、兼容性強(qiáng)、操作簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)，多次隨美國(guó)火星探測(cè)器登陸火星，為人類獲取了許多火星主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發(fā)射到火星的ketek探測(cè)器可以正常工作。

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AXAS-DAXAS-D-SDD探測(cè)器

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單點(diǎn)Andor單點(diǎn)探測(cè)器

除ccd 及ingaas 陣列探測(cè)器以外，andor 提供大量單點(diǎn)探測(cè)器配合shamrock 系列光譜儀使用，以便擴(kuò)展光譜儀的應(yīng)用方式和波段范圍：? pmt 探測(cè)器，185 - 900nm? 半導(dǎo)體探測(cè)器 200 - 1100nm? ingaas 單點(diǎn)探測(cè)器 800 - 1900nm? pbs 探測(cè)器 800 - 2900nm

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CMOS X射線相機(jī)CMOS平板探測(cè)器

cmos x射線相機(jī)由單個(gè)半導(dǎo)體硅片制成，可直接探測(cè)可見光或配合閃爍晶體用于探測(cè)x光和其它高能輻射。針對(duì)不同應(yīng)用，可配備不同厚度gadox或針狀csi閃爍體，是醫(yī)學(xué)診斷，工業(yè)檢測(cè)，科學(xué)成像的理想解決方案，標(biāo)準(zhǔn)能量測(cè)試范圍為不超過220kv，根據(jù)客戶要求，能量可到400kv，采用camera link接口，全分辨率下最高可到65幀/秒

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該公司產(chǎn)品分類：先鋒科技（香港）股份有限公司

VITUS系列VITUS系列SDD探測(cè)器

硅漂移x射線sdd探測(cè)器ketek 是的sdd 探測(cè)器生產(chǎn)商，其生產(chǎn)的sdd 探測(cè)器廣泛的應(yīng)用于分析儀器制備，科學(xué)研究以及宇宙探索等諸多領(lǐng)域。按照產(chǎn)品的功能分類，ketek 的探測(cè)器分為，vitus，viamp，axas-a，axas-d，axas-m 五個(gè)系列。

更新時(shí)間:2025-07-12

該公司產(chǎn)品分類：先鋒科技（香港）股份有限公司

PDA015A2-UV(DP)200-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器

200-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(apd)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變?cè)鲆?即m因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/div> 更新時(shí)間:2025-07-10

該公司產(chǎn)品分類：筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司